Portal Eletrolar.com

Notícias

IBM apresenta primeiro processo para fabricar chips de silício de 5 nanômetros

Na comparação com os chips de 10 nm, o resultado desse novo processo de fabricação de chips promete ganho de 40% em desempenho e uma redução de 75% no consumo.

chip_energia2

A IBM, em trabalho conjunto com a Samsung e a Globalfoundries, apresentou o primeiro processo para fabricação de chips de silício de 5 nanômetros (nm), menos de dois anos depois do de 7 nm – o que implica em um saldo de 20 bilhões para 30 bilhões de transistores em um único chip.

O processo usa o que são chamadas de nanolâminas de silício no lugar da arquitetura padrão chamada FinFET – ou transístor 3D -, que é o modelo atualmente utilizado pela indústria de semicondutores, incluindo a tecnologia de 7 nm.

Na comparação com os chips de 10 nm, o resultado desse novo processo de fabricação de chips promete ganho de 40% em desempenho e uma redução de 75% no consumo. Não há ainda uma data prevista para que a litografia de 5nm chegue ao mercado, mas pode ser em 2020, quando acredita-se que já existirão smartphones à venda com essa tecnologia.

Fonte: Convergência Digital

publicidade